PTFA210451E V1

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

PTFA210451E V1 datasheet

• Маркировка
  PTFA210451E V1
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies PTFA210451E V1 Product Category: Transistors RF MOSFET Power RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: N-Channel Frequency: 2170 MHz Gain: 16.5 dB Output Power: 45 W Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V Continuous Drain Current: 450 mA Gate-Source Breakdown Voltage: 12 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Package / Case: H-30265-2 Minimum Operating Temperature: - 40 C Mounting Style: SMD/SMT Power Dissipation: 211 W Resistance Drain-Source RDS (on): 0.91 Ohms Factory Pack Quantity: 1
• Количество страниц
  9 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet PTFA210451E V1.pdf
Файл формата Pdf 149,46 KB